Memoria RAM

"Random Acces Memory-Memoria de acceso aleatorio". Es el lugar de la computadora en el que el S.O., las aplicaciones y los datos en un uso permanecen para que el procesador pueda acceder a todos ellos rapidamente. La caché es un area de almacenamiento de datos que ofrece al sistema una velocidad de acceso muy elevada.

Algunos términos:

Latencia o tiempo de refresco

Indica la necesidad de “recordar” los datos a la memoria cada pequeños periodos de tiempo, para impedir que esta pierda la información.

Llamamos ciclo de refresco al tiempo que necesita el procesador para acceder a todas las direcciones de memoria para actualizar su contenido y no perderlo . Un ciclo de refresco de memoria puede emplear varios ciclos del microprocesador.

Tiempo de acceso

Tiempo transcurrido desde que se hace la petición (dirección a la entrada del bus de direcciones) hasta que se accede al dato.

Paridad

Se trata de una técnica empleada también en las comunicaciones serie y que persigue garantizar la integridad de los datos. Consiste en añadir a la memoria un bit adicional (el bit de paridad) por cada x número de bits de datos. Así es posible comprobar si hay algún error en la información; ¿y cómo diferenciar las memorias con paridad de las que no la implementan? Basta con contar el número de chips que el módulo SIMM posee; si es un número impar (3 ó 9), se trata de un módulo con paridad. Si el número es par (2 u 8) el SIMM no la incluye. Este asunto es importante, puesto que a la BIOS del PC hay que indicarle a través del Setup, si debe efectuar comprobación de paridad o no, siendo ésta una posible fuente de problemas en caso de mala configuración.

Buffer de datos

Son las líneas que llevan información entre los integrados y el controlador. Por lo general están agrupados en octetos siendo de 8,16,32 y 64 bits, cantidad que debe igualar el ancho del bus de datos del procesador.

 Estructura física

Atendiendo a sus características físicas, las memorias RAM se dividen en dos grandes grupos: estáticas SRAM ("Static RAM"), y dinámicas DRAM ("Dynamic RAM"), ambas comparten la característica de perder su contenido cuando se apaga el sistema. Pero las DRAM tienen además la necesidad de que su contenido sea constantemente actualizado.

SRAM

"Static Random Access Memory", es un tipo de memoria que es más rápida y fiable que la más común DRAM (Dynamic RAM). El término estática viene derivado del hecho que necesita ser refrescada menos veces que la RAM dinámica.

Los chips de RAM estática tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos, mientras que las RAM dinámicas están por encima de 30, y las memorias bipolares y ECL se encuentran por debajo de 10 nanosegundos.


DRAM

"Dynamic RAM", un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser constantemente refrescada (re-energizada) o perdería su contenido. Generalmente usa un transistor y un condensador para representar un bit Los condensadores debe de ser energizados cientos de veces por segundo para mantener las cargas. A diferencia de los chips firmware (ROMs, PROMs, etc.) las dos principales variaciones de RAM (dinámica y estática) pierden su contenido cuando se desconectan de la alimentación. Contrasta con la RAM estática.

Volatil y aleatoria?

La RAM es una memoria temporal, o volátil, cuyo contenido se pierde cuando la computadora se apaga. Los chips RAM de la placa base de la computadora mantienen los datos y los programas con lo que trabaja el microprocesador. La RAM almacena los datos para que el microprocesador pueda acceder a ellos rápidamente. La cantidad y el tipo de memoria en el 
sistema pueden suponer una importante diferencia den el rendimiento del mismo.

como se almacena la informacion en la memoria RAM

Cuando las aplicaciones se ejecutan, primeramente deben ser cargadas enmemoria RAM. El procesador entonces efectúa accesos a dicha memoria para cargar instrucciones y enviar o recoger datos. Reducir el tiempo necesario para acceder a la memoria, ayuda a mejorar las prestaciones del sistema. La diferencia entre la RAM yotros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o discos duros, es que laRAM es mucho más rápida, y se borra al apagar el ordenador.

A diferencia del almacenamiento de datos en una memoria auxiliar como un disco duro, RAM es volátil, lo que significa que solamente almacena datos mientras recibe electricidad. Por lo tanto, cada vez que el equipo se apaga, todos los datos de la memoria se borran irremediablemente.

Módulos de memoria RAM

SIMM (Single In line Memory Module)

Un tipo de encapsulado consistente en una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zócalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son más fáciles de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits.

DIMM (Dual In line Memory Module)

Un tipo de encapsulado, consistente en una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zócalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos. No se pueden mesclar DIMM y SIMM.

DIP (Dual In line Package)

Un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.

SIPP

Totalmente obsoletos desde los 386 (estos ya usaban SIMM mayoritariamente).

RIMM (Rambus Inline Memory Module)

Cuentan con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los chips del módulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y están disponibles en velocidades de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 Mhz (PC-800) y 533 Mhz (PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tenía un rendimiento 4 veces menor que la DDR. 

Módulos RAM para portátiles


SO-DIMM' (Small Outline DIMM)

Una versión compacta de los módulos DIMM convencionales, cuentan con 144 contactos y tienen un tamaño de aproximadamente la mitad de un módulo SIMM. Debido a su tamaño tan compacto, estos módulos de memoria suelen emplearse en laptops, PDAs y notebooks, aunque han comenzado a sustituir a los SIMM/DIMM en impresoras de gama alta y tamaño reducido y en equipos de sobremesa y terminales ultracompactos (basados en placa base Mini-ITX).

SO-RIMM

Al igual que con los módulos DIMM, también existen módulos más pequeños, conocidos como SO RIMM(RIMM de contorno pequeño), diseñados para ordenadores portátiles. Los módulos SO RIMM poseen sólo 160 clavijas.


MICRODIMM

Es otro módulo de memoria usado en portátiles, es más pequeño que la SO-DIMM, vienen en un módulo de 144 pines para SDRAM y un módulo de 172 para memoria DDR
Memorias asíncronas

DRAM
(visto anteriormente)

FPM (Fast Page Mode)

A veces llamada DRAM, puesto que evoluciona directamente de ella, y se usa desde hace tanto que pocas veces se las diferencia, algo más rápida, tanto por su estructura (el modo de Página Rápida) como por ser de 70 ó 60 ns. Es lo que se da en llamar la RAM normal o estándar. Para acceder a este tipo de memoria se debe especificar la fila (página) y seguidamente la columna. Para los sucesivos accesos de la misma fila sólo es necesario especificar la columna, quedando la columna seleccionada desde el primer acceso. Esto hace que el tiempo de acceso en la misma fila (página) sea mucho más rápido.

EDO-RAM (Extended Data Output-RAM)

 Evoluciona de la FPM. Permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos).
Mientras que la memoria tipo FPM sólo podía acceder a un solo byte (una instrucción o valor) de información de cada vez, la memoria EDO permite mover un bloque completo de memoria a la caché interna del procesador para un acceso más rápido por parte de éste. La estándar se encontraba con refrescos de 70, 60 ó 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168.

La ventaja de la memoria EDO es que mantiene los datos en la salida hasta el siguiente acceso a memoria. Esto permite al procesador ocuparse de otras tareas sin tener que atender a la lenta memoria. 

BEDO (burst Extended Data Output) 

Fue diseñada originalmente para soportar mayores velocidades de BUS. Al igual que la memoria SDRAM, esta memoria es capaz de transferir datos al procesador en cada ciclo de reloj, pero no de forma continuada, como la anterior, sino a ráfagas (bursts), reduciendo, aunque no suprimiendo totalmente, los tiempos de espera del procesador para escribir o leer datos de memoria.

Memorias síncronas

PC-100 DRAM: 

Este tipo de memoria, en principio con tecnología SDRAM, aunque también la habrá EDO. La especificación para esta memoria se basa sobre todo en el uso no sólo de chips de memoria de alta calidad, sino también en circuitos impresos de alta calidad de 6 o 8 capas, en vez de las habituales 4; en cuanto al circuito impreso este debe cumplir unas tolerancias mínimas de interferencia eléctrica; por último, los ciclos de memoria también deben cumplir unas especificaciones muy exigentes. De cara a evitar posibles confusiones, los módulos compatibles con este estándar deben estar identificados así: PC100-abc-def.

SDRAM:
Sincronic-RAM. Es un tipo síncrono de memoria, que, lógicamente, se sincroniza con el procesador, es decir, el procesador puede obtener información en cada ciclo de reloj, sin estados de espera, como en el caso de los tipos anteriores. Sólo se presenta en forma de DIMMs de 168 contactos; es la opción para ordenadores nuevos. SDRAM funciona de manera totalmente diferente a FPM o EDO. DRAM, FPM y EDO transmiten los datos mediante señales de control, en la memoria SDRAM el acceso a los datos esta sincronizado con una señal de reloj externa.